ВЛИЯНИЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ НА СОСТАВ, СТРУКТУРЫ И СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР
Keywords:
кремний, пленка, энергия, наноэлектроника, электрон, оксид, полупроводникAbstract
В работе исследовано влияние ионного легирования бором и азотом на интенсивность ФЛ (фотолюминесценция) системы SiO2:nc-Si, (нановключения кристаллического Si в матрице SiO2) полученной методом ионной имплантации Si+ в SiO2.В качестве исходного материала были использованы пленки диоксида кремния толщиной 0,5 мкм, выращенные во 1- чистый Si (111); 2, 2/-D=1015 см-2;3, 3/- D = 4-1016cm-2.
References
Арипов У.А., Алиев А.А. Изв. АН УзСССР, сер физ-мат. Наук N4, 20, 1964 г.20
Schrubner E.J., Tharp L.N. Surface Scl., 8, 242,1967.21
Harrls L.A., J. Appl Phys., 39, 1419, 1968.22
Harrls L.A., J. Appl Phys., 39, 1428, 1968.23
Алиев А.А., Шадиходжаев И. Сб XXII Всесоюз. конференц. по эмиссион. электронике, с.308, Ленинград 1978 г.24
Hughes A.L. Momillen J.H. Re-Focussing of Electron Paths in a Radial Electrostatic Field // Jurnal. Phys. Rev.-Amsterdam. 1929.Т.34.-Р.291.
Рик Г.Р. Масс-спектроскопия.// –Москва. 1953.-С.45-55.
Шпольский Э.А. Атомная физика.//- Москва. Гос.тех.издател.1952.-С.232-236.
Гапонов. В.И. Электроника.// Москва. Том 1. 1960.-С.46-64.
Rudberg E. Calculation of resolving power of electrostatic analyses// Pras.Roy.Sec.1930.v.127.-P.111.
Harrawer G.A., Phys Rev., 102, 340, 1956.18
