МЕХАНИЗМ ИЗМЕНЕНИЯ СВОЙСТВ Cu2-xTe-CdTe СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ТЕРМООБРАБОТКИ
Keywords:
термообработка, гетеропереход, атомы меди, объёмная заряд, туннелирования носителей заряда.Abstract
В данной работе рассмотрено механизм изменения свойств Cu2-xTe-CdTe солнечных элементов под действием термообработки.Установлено, что атомы меди из раствора CuCi в процессе создания гетероперехода химическим способом проникают в базовой слой CdTe по границам зерен через слой Cu2-xTe. В процессе термообработки шунтирующие р-п-перехода атомы меди проникают в глубь базового слоя, образовав компенсирующие акценторные уровни в CdTe.
References
L. Leontie, V. Nedeff, I. Evtodiev, M Stamate. Photoelectric properties of Bi2O3/GaSe heterojunctions. February 2009Applied Physics Letters 94(7):071903-071903-3. DOI:10.1063/1.3035854
V. N. Katerynchuk, Z. D. Kovalyuk, Z. Kudrynskyi. Photoelectric properties of n-ITO/p-GaTe heterojunctions. May 2015Semiconductors 49(5):600-603. DOI:10.1134/S1063782615050085
SM Otajonov, RN Ergashev, T Axmedov, Ya Usmonov, B Karimov. Photoelectric properties of solar cells based on pCdTe-nCdS and pCdTe-nCdSe heterostructures. Journal of Physics: Conference Series. 2022/12/1. https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/2388/1/012062/meta
SM Otazhonov, RN Ergashev, KA Botirov, BA Qaxxorova, MA Xudoynazarova, NA Abdukarimova. Influence of thickness and temperature on photoelectric properties of p-CdTe-nCdS and pCdTe-CdSe heterostructures. Journal of Physics: Conference Series. (2022, December). https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/2388/1/012001
I. Karimov S.M. Otajonov, R.N. Ergashev. Electrophysical and surface active properties of p-CdTe-nCDS and pCdTe-CdSe heterostructures with deep impurity levels. Modern trends in the development of semiconductor physics: achievements, problems and prospects. © Research Institute of FPM, 2022.
R.N. Ergashev, M.M. Bakhramov. Transparent conductive Sn based. Horizon: Journal of Humanity and Artificial Intelligence. 2023/5/31. http://univerpubl.com/index.php/horizon/article/view/1882
T Akhmedov, SM Otajonov, Y Usmonov, MM Khalilov, N Yunusov, .Optical properties of polycrystalline films of lead telluride with distributed stichiometry// Journal of Physics: Conference Series 1889 (2), 022052; 50; 2021
SM Otazhonov, KA Botirov, MM Khalilov, N Yunusov // IN PHOTOSENSITIVE THIN FILMS CdTe: Ag AND PbTe // Science and World International scientific journal 6 (94), 11-16;
СМ Отажонов, МХ Рахмонкулов, ПИ Мовлонов, Н Юнусов // Влияние термообработки на фотоэлектрические свойства гетероструктуры Cu2-xTe-CdTe// Science 89, 19; 23; 2021
SM Otazhonov, N Yunusov, B Qakhkhorova // Deformation characteristics of PbTe-Te Polycrystalline films //Science and world 103, 22; 26; 2022
А.Абдулхамидов, Н.Э. Алимов Спектральная память низкоразмерных p-CdTe с глубокими примесными уровнями.; Тринадцатая международная конференция «ФИЗИКА ДИЭЛЕКТРИКОВ» (Диэлектрики — 2014) Санкт-Петербург,2-6 июня 2014
N.Alimov D. Ismoilova Role of deep impurity levels in film heterostructures p – CdTe–ZnSe.; IUPAC 11th International Conference on Novel Materials and Synthesis (NMS - XI) 24 International Symosium oh Fine Chemistry and Functional Polymers (FCFP - XXIII) 11 – 16 oktober, 2015 Qinhuangdao, China;
С. М. Зайнолобиддинова, Н. Э. Алимов,М. М. Халилов, Д. А. Юсупова, Ш. Якубова Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий; Журнал физики и инженерии поверхности Харьков 2016 том 1, № 1, стр. 52–56;;
К. Ботиров, П. Мовлонов, Н. Э. Алимов, М. М. Халилов, О. Эргашев, Ш. Якубова Изучение деформационных эффектов в нанокристаллических фоточувствительных активированных тонких пленках p-CdTe; Журнал физики и инженерии поверхности Харьков 2016 том 2, № 2, стр. 140 – 144;;
Н. Жураев М. Халилов Н. Э. Алимов, Фоточуствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p - CdTe - SiO2 - Si с глубокими примесными уровнями; Журнал физики и инженерии поверхности Харьков 2017 том 2, № 1, стр. 26 –29;
Aлимов H Жураев Н Мовлонов П Халилов М Элементы памяти с управляемым временем запоминания и спектральной фоточувствительности; Патент№ IAP 20170249 Агенства по интеллектуальной собственности РУз 26 декабря 2017 Расмий Ахборотнома Тошкент-2018 , 12(212);
Юлдашалиев Д Каримов Б Ахматжонов Р Малооборотный генаратор тока; Полезный модел № FAP 20170037 АГЕНСТВА ИНТЕЛЛКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ РУЗ 10 АВГУСТА 2017;
Aлимов H Fotosensitivity of nanocrystalline cdte and polyrystalline silicon based structures; 81Th International conf Polymers and Organic Materials for Elektronics Praga Chehiua 10-14 September 2017;
Aлимов H Study of polycrystalline CdTe films by contact and contactless pulsed photo-ionization spectroscopy; Journal Thin Solid Films 660 June 2018 pp.231-235 ,США IF 2,03 DOI: 10.1016/j.tst.2018.06.016 Scopus;
О Aлимов H птическая спектральная память в пленочной ультракристаллической гетероструктуре p-CdTe-SiO2-Si; Научно-Технический журнал ФерПИ 2018 Том 22. №2 стр. 113-116;
Aлимов H Ботиров Қ //Особенности физических свойств модифицированной поверхности пленочной структуры p-CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями; Международная конференция «ФОТОНИКА-2017» 11-15 сентября 2017, Новосибирск ,Россия;
Алимов Н //Фотопроводимость в ультракристаллических гетероструктурах CdTe-SiO-Si; Международная конференция «ФОТОНИКА-2018» 11-15 сентября 2018, Новосибирск ,Россия;
Meskauskaite D Gaubas E Алимов Н // Comparative aralysis of Gan and CdTe thin films for radiation detectors.; I6 th Inter.conf on Radiation and Applications on various Fields of research. Ohrid.2018 18-22 iyun Makedonia;
М.Халилов Ботиров К // Стабилизация тензочувствительности поликриссталлических пленок РвS под действием лазерного отжига; Science and World International scientific journal № 8 (84) август 2020 ISSN 2308-4804 . IF 0,325 стр 11-16
Алимов Н, Ботиров К, Раззоков Б, Юнусов Н // И Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фотопреобразователей на основе гетероперехода Cu Te - CdTe; Международной научно-практической конференции CHALLENGES IN SCIENCE JF NOWADAYS 26-28 ноября 2020 г. г.ВАШИНГТОН ,США;
Юнусов Н,Мовлонов П, Рахмонқулов М // Effect of heat treatment on the photovoltaic properties of the si 2-te-cdte heterostructure; Science and World International scientific journal № 1 (89) январь 2021 ISSN 2308-4804 . IF 0,325 Page 22-27;
Ботиров К Мовлонов П, Алимов Н //CdTe-SiO2-Si-Al hetestructure photosensitivity control with deep impurity levels under external factors.; Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering Volime2, ISSUE5 5, 2020. p 22-25 https://uz journals.edu.uz/ semiconductors/vol /2issue/5;
Akhmedov T, Usmonov Ya, Ботиров Қ, Khalilov M, Yunusov N, Влияние внутреннего напряжения на деформационные характеристики поликристаллических плёнок РbTe с избытком теллура и свинца; Science and World International scientific journal № 3 (91) март 2021ISSN2308-4804IF0,325 Page 18-22 http://scienceph.ru/f/science_and_world_no_3_91_march.pdf
Рахмонқулов М, Халилов М, Ботиров Қ,Юнусов Н // Effect of group VII elements on strain sensitivity of polycrystalline films PBTE, PBS; European Science Review 2021 № 1-2/ January-February/ Vienna https://doi.org/10.29013/ESR-21-1.2-35-38;
Ахмедов Т,Усмонов Я,Халилов М, Юнусов Н. // Optical properties of polycrystalline films of lead telluride with distributed stichiometry; Journal of Physics Conference Series/ 1889(2021)022052 doi:10.1088/1742-6596/1889/2/022052 Scopus;
Вайткус Ю.Ю., Халилов М.М., Юнусов Н. // Влияние Избытка Теллура И Свинца На Деформационные Характеристики Поликристаллических Пленок PbTe ; Scientific Bulletin, Physical and Mathematical Research Vol.3 Iss.2021 УДК: 621.315.592
Ботиров Қ,Халилов М.М., Юнусов Н // Bлияние деформации на миграцию дефектов в фоточувствительных тонких пленках CdTe: Ag И PbTe Science and World International scientific journal № 6 (94) июн 2021 ISSN 2308-4804 . IF 0,325 Page 11-16;
Максудов Р, Ахмедов М, Шухратов Ш, Хожикаримова Г. // Инновацион таьлимда дарс шакли, методи ва воситаларини танлаш; Ўқув қўлланма 2021 ФарДу УК N7.30 март 2021; 146
Максудов Р, Шухратов Ш, Рахмонқулов М. // Материалшунослик ва конструкцион материаллар технологияси; Ўқув қўлланма ФарДу УК N7.30 март 2021; 210
Далиев Х. Онорқулов М // Device for stud device for studying tenze sensi ying tenze sensitivity in pho y in photosensitive semiconductor films; Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering//vol3. 2021.31-35
T.Akhmedov, N.Yunusov .M.Khalilov // Effective dielectric permeability and electrical conductivity of polycrystalline PbTe films with disturben stoichiometry.; Journal of Physics Conference Series/(2131) 2021 doi:10.1088/1742-6596/2131/5/052008.Scopus;
T.Akhmedov,Usmonov Ya.,Khalilov M.M., Mamajonov U.M // Влияние термообработки на электрофизические свойства поликристаллических пленок теллурида свинца; Science and world.2022.№1(101) Стр 12-17);
Akhmedov T., Usmonov Ya., Khalilov M.M., Botirov K.A. EFFECTS OF UNIAXIAL DEFORMATION ON THE CARRIER; Science and world. 2022. № 2 (102)Стр 12-15
Yuldashaliev .D., Otazhonov S.M., Usmonov Ya., Akhmedov T.A., Karimov B.X// TECHNOLOGY FOR THE PRODUCTION AND RESEARCH OF HOLE; Science and world. 2022. № 2 (102)Стр 15-20
Mirzazhonov M.A., Movlonov P.I., Otazhonov S.M // IMPROVING THE EFFICIENCY OF SOLAR CELLS BASED ON CU2-XS-CDS WITH DEEP IMPURITY LEVELS; Science and world. 2022. № 3 (103)Стр 12-14
Onarkulov K.E., Rakhmankulov M.Kh., Omonov B.U RADIATION-STIMULATED OXYGEN DIFFUSION IN LEAD CHALCOGENIDE LAYERS.; Science and world. 2022. № 3 (103)Стр 14-18
Khalilov M.M., Mamadzhanov U.// TECHNOLOGY FOR PRODUCING LEAD TELLURIDE FILMS OF VARIABLE COMPOSITION; Science and world. 2022. № 3 (103) Стр 18-23
Yunusov N., Qakhkhorova B.// DEFORMATION CHARACTERISTICS OF PbTe-Te POLYCRYSTALLINE FILMS; Science and world. 2022. № 3 (103)Стр 23-27
Мовлонов П. Юнусов Н. // STUDY OF THE PROCESS OF PHOTOFATIGUE AND CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF SOLAR CELLS BASED ON СU2-X S-CDS; Science and world. 2022. №5 (105)Стр 13-17
Мовлонов П. Юнусов Н. Мамажонов У.М.// РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ НИЗКООМНЫХ БАЗОВЫХ СЛОЁВ А2В6 МЕТОДОМ ТЕРМОВАКУУМНОЙ КОНДЕНСАЦИИ И ХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ; UNIVERSUM: Технический наук2022. 3(96). URL: Выпуск:3(96) Часть 6 5-10
Ergashev R., Yunusov N // STUDY OF THE SURFACE RECOMBINATION OF HETEROJUNCTIONS BASED ON p CdTe – n CdS AND p CdTe – n CdSe; Science and world. 2022. №9 (109) Стр 26-30
Xalilov M Axmedov T // ИССЛЕДОВАНИЕ ЧАСТОТНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЛЕНОК PbTe; Science and world. 2022. №10 (110)
Шухратов Ш Рахмонкулов М // Механизациялаштитириш, автоматлаштириш ва робототехника асослари; ОЎМТМ, Мувофиқлаштириш Кенгаши 2022 йил 13 май №166 5112100 Технологик таълим; 166
Шухратов Ш, Ахмедов М, Хожикаримова Г // Инновацион таълимда дарс шакли, методи ва воситаларни таъминлаш; ОЎМТМ, Мувофиқлаштириш Кенгаши 2022 йил 13 май №166 5112100 Технологик таълим ; 156
Alimov N,// Фотоэлектрические явления в широкозонных полупроводниковых гетероструктурах с глубокими примесными уровнениями; Монография ФарДу илмий Кенгаш тавсиясига биноан 2022 йил 14 октябр Издательские решения По лицензии Ridero 2022 ; 110
Ergashev R, Botirov Q , Qaxxorova B, Xudoynazarova M, Abdukarimova N, Madaminova M, Ismoilova K, // Influence of thickness and temperature on photoelectric properties of p-CdTe-nCdS and pCdTe-CdSe heterostructures. ; Journal of Physics: Conference Series 2388 (2022) 012001/doi:10.1088/1742-6596/2388/1/012001
Kamaludin Abdulvakhido• Zhengyou Li • Bashir Abdulvakhidov • Alexander Soldatov Structure phase state and physical properties of YbMn1 xFexO3 compositions ; Applied Physics A (2023) 129:185 https://doi.org/10.1007/s00339-023-06469-506469-5
R N Ergashev, T Axmedov, Ya Usmonov and B Karimov // Photoelectric properties of solar cells based on pCdTe-nCdS and pCdTe-nCdSe heterostructures; APITECH-IV - 2022 Journal of Physics: Conference Series 2388 (2022) 012062 IOP Publishing doi:10.1088/1742-6596/2388/1/012062 ;
N E Alimov1 , J V Vaitkus , and K Botirov // Investigation of the surface recombination rate in polycrystalline films from the A6B 6 compound by the MW-PC method; APITECH-IV - 2022 Journal of Physics: Conference Series 2388 (2022) 012006 IOP Publishing doi:10.1088/1742-6596/2388/1/012006 1;
Эргашев Р.Н., K.Ботиров // Bлияние температуры и давления на электрофизические свойства гетероструктуры pcdte-ncds и pcdte-ncdse с глубокими примесными уровнями//SCIENCE AND WORLD International scientific journal, № 8 (120), 2023
Эргашев Р.Н., K.Ботиров // Фотоэлектрические явления в гетероструктурах на основе pcdte – ncds и pcdte – ncdse с глубокими примесными уровнями; SCIENCE AND WORLD International scientific journal, № 9 2023;
